【编者按】在科技浪潮汹涌的今天，人工智能（AI）已不再是遥不可及的概念，而是驱动全球产业变革的核心引擎。尽管市场上不时浮现“AI泡沫论”的疑虑，但硬核数据与行业趋势却揭示出另一番景象：以三星电子和SK海力士为代表的存储芯片巨头，正迎来前所未有的业绩爆发期。随着AI数据中心需求呈指数级增长，高端存储芯片供需失衡持续加剧，价格上行通道已然打开。这不仅是一场技术竞赛，更是一场关乎未来制高点的战略布局。两大韩国巨头能否乘势而上，突破百万亿韩元的盈利大关？让我们透过专业分析，一窥存储芯片市场背后的财富逻辑与产业暗涌。尽管市场存在对“人工智能（AI）泡沫论”的担忧，但三星电子和SK海力士明年的盈利预测仍在持续上调。此前，市场隐含的共识是，两家公司的年度营业利润总和将超过150万亿韩元，其中三星电子约为83万亿韩元，SK海力士约为75万亿韩元。然而，随着海外市场研究机构预测明年内存价格涨势将更为显著，市场预期不断升高，认为这两家公司各自的营业利润可能接近100万亿韩元。截至17日，综合主要市场研究机构对明年DRAM和NAND闪存的价格预测，DRAM和NAND预计都将保持15-20%的上涨趋势。TrendForce将DRAM平均销售价格（ASP）上涨8-15%作为基本情景，并预计供需状况可能导致供应短缺加剧。Counterpoint Research则援引AI数据中心投资扩大以及内存供应正常化延迟为依据，提出明年DRAM价格可能每年上涨高达20%的可能性。也有观点认为NAND闪存的供应短缺十分严重。由于多年来NAND盈利能力恶化，三星电子和SK海力士持续削减生产线，并将资本投资重组，聚焦于高利润的高带宽内存（HBM）。因此，NAND的供应增长率受到限制。在此背景下，分析指出，AI数据中心必需的高性能固态硬盘（SSD）需求爆炸性增长，正导致供需失衡日益加剧。TrendForce观测，对于2026年的NAND供需，年度需求增长率约为20-22%，而年度供应增长率约为15-17%。由于供不应求，预计NAND平均价格将较前一年上涨中高个位数百分比（8-15%）。对于企业级NAND，涨幅有可能超过25%。对此，证券公司再次上调了对三星电子和SK海力士明年的盈利预测。Kiwoom Securities预计三星电子明年的年度营业利润为107.612万亿韩元。iM Securities则预测SK海力士同期营业利润为93.843万亿韩元。三星电子历史上最高的年度营业利润记录是2018年创下的58.89万亿韩元，而SK海力士的最高记录是去年的23.4673万亿韩元。关键点在于，明年内存半导体市场中，高带宽内存（HBM）、通用DRAM和NAND等不同产品类别的价格上涨幅度将有所差异。对于包括三星电子、SK海力士和美光在内的内存三强而言，解释是，在追求利润率最大化的目标下，“销售什么产品”可能比“销售多少数量”更能决定业绩。一直稳居HBM市场首位的SK海力士，如果以第五代HBM（HBM3E）为中心的出货量扩大以及AI服务器需求持续强劲，其平均销售价格（ASP）上涨的影响可能最为显著。市场预计，以服务器和HBM为中心的盈利优势将持续到2026年。然而，对于第六代HBM（HBM4）产品，由于技术起点与三星电子几乎处于同一水平，仍存在不确定性。三星电子在内存出货量上保持压倒性的第一位，但关键是其HBM市场份额的恢复速度。随着近期三星电子HBM3E出货量增加，如果通用DRAM和NAND价格同时上涨，量价齐升效应可能会显著改善其内存事业部的业绩。
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