【编者按】在人工智能浪潮席卷全球的今天，高性能芯片已成为驱动技术革命的核心引擎。其中，高带宽内存（HBM）作为AI加速器的“心脏”，其制造工艺的每一次微米级突破，都牵动着整个产业的神经。近日，韩国半导体设备商韩华Semitech宣布了一项关键进展：第二代混合键合机成功研发，即将送交客户测试。这不仅是技术上的迭代，更可能意味着下一代芯片封装技术迈向大规模量产的关键一步。在全球巨头竞逐HBM4乃至更先进制程的赛道上，混合键合技术正成为决定性能胜负的“秘密武器”。本文将深入解析这项突破如何重塑芯片堆叠的极限，并窥探其背后激烈的市场竞争格局。
韩华Semitech周三宣布，已成功开发出第二代混合键合机——这项技术被视为下一代半导体封装的关键，并计划在今年上半年将该设备交付客户进行性能测试。
混合键合机被公认为是提升高带宽内存性能和制造效率的核心技术，而高带宽内存正是AI加速器的重要组成部分。
这家韩国芯片设备制造商表示，新款名为SHB2 Nano的系统，采用了超精密对准技术，定位误差仅0.1微米。该公司此前已于2022年1月向客户供应了第一代混合键合机。
该技术直接在铜表面键合芯片，无需使用凸块，使得芯片之间的间隙近乎为零。与传统封装方法相比，这能实现更快的数据传输、更薄的设计以及更低的功耗。
韩华Semitech表示，第二代系统的成功研发，使公司有望在不久的将来向市场推出大规模量产设备。
“通过对先进技术的持续投资，我们克服了混合键合领域的技术挑战，使产品更接近主流应用。”一位韩华Semitech的官员说道。
韩华的这一进展，正值主要内存芯片供应商日益倾向于采用混合键合技术来生产下一代HBM产品之际。这些产品通过垂直堆叠DRAM晶粒来提升性能。
三星电子在一月的财报电话会议中透露，其已将混合键合技术应用于HBM4，并在上一季度向关键客户交付了样品且已开始讨论。公司还补充说，计划在HBM4E阶段实现有限度的商业化。
除了混合键合设备，该公司表示其正在热压键合机市场巩固自身地位。
这家设备制造商称，其TC键合机SFM5 Expert在去年创造了超过900亿韩元（约6800万美元）的销售额。公司还补充说，在一月和二月已获得两份供应合同。
韩华Semitech报告其在2025年第四季度重返盈利，这一转机大致发生在公司于2025年3月正式向客户交付TC键合机约一年之后。
公司表示，其也在为下一代HBM设备市场开发第二代TC键合机，包括具有更大键合头的型号以及旨在减小芯片间距的无助焊剂TC键合机。
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