编者按：AI芯片战火再升级，全球存储巨头争霸赛进入白热化！就在SK海力士宣布明年HBM4产能已被“抢购一空”后，业界目光瞬间聚焦三星——最新消息显示，三星电子正与英伟达进行最后谈判，有望拿下明年HBM4超30%的供应份额，打一场漂亮的“翻身仗”。这场围绕下一代AI内存的角逐，不仅是技术实力的硬核对决，更是供应链话语权的生死博弈。从制程工艺到产能布局，三大巨头暗战不断，而英伟达“Rubin平台”将成为检验胜负的关键战场。谁能主宰HBM4时代？供应链格局又将如何重塑？本文将为你深度解析这场牵动全球AI产业神经的巅峰对决。
据报道，三星电子正与英伟达进行最终谈判，计划为明年上市的下一代AI芯片供应第六代高带宽内存（HBM4）。继SK海力士宣布明年HBM4产能已全部售罄后，三星电子有望成为HBM4的第二大供应商。尽管今年仅向英伟达少量供应了第五代HBM（HBM3E），但三星似乎正试图从HBM4开始重振声誉。
据行业内部人士15日透露，三星电子预计将供应英伟达明年所需HBM4总量的30%以上。据悉，三星正在对提供给英伟达的HBM4样品进行最终质量认证，这些样品将集成于英伟达计划明年推出的下一代AI加速器“Rubin平台”。
一位熟悉三星电子内情的消息人士表示：“与HBM3E市场情况不同，预计三星电子在英伟达HBM4供应链中的占比将超过30%。在满足英伟达性能要求的前提下，其供应量很可能超越美光。”
三星电子此前在向英伟达供应HBM方面遭遇困境。当竞争对手SK海力士和美光稳定供应8层和12层HBM3E产品时，三星却多次未能通过质量认证。为在HBM4市场重获竞争力，三星押注于其自研的4纳米晶圆代工制程以及领先竞争对手一代的DRAM技术。公司同时正在平泽园区扩大HBM4产能以满足需求。
SK海力士预计将巩固其最大供应商的地位，供应量接近英伟达明年所需HBM4总量的70%。据报道，其已同意供应明年所能生产的最大HBM4产能。SK海力士也正全力提升产能以满足HBM需求。一位半导体行业人士称：“SK海力士已最终敲定合同，将供应其所能应对的英伟达明年所需HBM4的最大份额。如果产能扩张计划具体化，后续可能进行额外讨论。”
美光预计供应份额将不足10%，落后于SK海力士和三星电子。由于技术问题，包括对HBM4进行部分重新设计，美光的谈判有所延迟。尽管美光提供了符合英伟达规格的最终样品，但其性能据称逊于竞争对手。
与SK海力士和三星电子不同，美光在HBM的核心部件——逻辑芯片上采用了自研的DRAM工艺，而非晶圆代工工艺。SK海力士和三星电子利用先进代工工艺满足了英伟达的性能要求，而美光在提升性能方面遇到困难，这限制了其在供应量谈判中获取更大份额的能力。
本文由万更网原创发布，未经许可，不得转载！
本文链接：https://m.fdsil.com/b/70158.html
